| ALD | Atomic Layer Deposition，是一種可以將物質以單原子層形式一層一層地鍍在基底表面的工藝 |
| CVD | Chemical Vapor Deposition （化學氣相沉積法），利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固界面上發生反應生成固態沉積物的過程 |
| HJT | Heterojunction with Intrinsic Thin Layer （具有本征薄層異質結），又稱為HJT/SHJ，一種異質結太陽能電池 |
| High-k | 具有高k性質的材料可以比其他材料能夠更好的存儲電荷 |
| IBC | Interdigitated Back Contact （叉型背接觸電池），一種高效晶硅太陽能電池結構 |
| LED | Light Emitting Diode （發光二極管），一種常用的發光器件，通過電子與空穴復合釋放能量發光 |
| MEMS | Micro Electro Mechanical System（微機電系統），是集微傳感器、微執行器、微機械結構、微電源微能源、信號處理和控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信等于一體的微型器件或系統，其內部結構一般在微米甚至納米量級，是一個獨立的智能系統 |
| OLED | Organic Light Emitting Diode，屬于一種電流型的有機發光器件，是通過載流子的注入和復合而致發光的現象，發光強度與注入的電流成正比 |
| PEALD | Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition （等離子體增強原子層沉積），一種原子層沉積技術 |
| PECVD | Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition （等離子體增強化學氣相沉積），CVD的一種，在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法 |
| PERC | Passivated Emitter and Rear Cell，鈍化發射極和背面電池技術，一種電池結構 |
| PVD | Physical Vapor Deposition （物理氣相沉積），利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程 |
| SALD | Spatial Atomic Layer Deposition （空間原子層沉積），一種原子層沉積技術 |
| TALD | Thermal Atomic Layer Deposition （熱原子層沉積），一種原子層沉積技術 |
| TOPCon | Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化物鈍化接觸，一種電池結構 |
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