后摩爾時代，半導體市場對器件尺寸和材料提出了更高要求，原子層沉積(ALD)技術在新材料、三維結構、高深寬比微納結構、超薄膜工藝制程方面的優勢逐漸體現。

公司ALD、PEALD技術是納米級薄膜沉積解決方案的關鍵核心技術之一，可廣泛適用于晶體管、存儲器、圖案化、金屬互連、硅基微顯示、化合物功率器和3D封裝等應用。