iTomic PE系列等離子體增強原子層沉積(PEALD)系統可根據不同溫度要求制備氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮碳化硅等先進薄膜制備工藝及應用,通過精準快速控制成膜速度、超低反應溫度、材料配比等技術,完美實現材料厚度均勻性、膜應力,熱過程,以及階梯覆蓋率等極具挑戰的工藝需求,技術達到國際先進水平。iTomic PE系列設備可為先進邏輯芯片、存儲芯片、先進封裝等提供客制化掩膜層、介質層、多級圖案化(SADP & SAQP)等關鍵工藝解決方案。
1、采用獨特的Thunder BalanceTM技術,實現射頻效果的毫秒級切換,具有工藝穩定性好、循環周期短等特點;
2、多區加熱系統確保反應溫度的均勻性及穩定性,大大提高薄膜的均勻性;
3、薄膜材料:SiO2,
LTO SiO2, Si3N4, SiCNx, SiOCx等;
4、采用特有的Hydro ThermalTM技術,實現低溫工藝平穩可控,滿足低溫沉積工藝應用;
5、多腔設計,可搭載1至多個PM,每個PM具有1至多個工藝站,可實現高產能、低成本的生產解決方案。