iTomic HiK系列原子層沉積鍍膜系統適用于先進制程高介電常數（High-k）柵氧層、MIM電容器絕緣層、TSV介質層等薄膜工藝需求；HiK ALD系列設備憑借原子級別的精確控制、高覆蓋率薄膜沉積和極高的工藝均勻性等優勢，可為先進邏輯芯片、存儲芯片以及先進封裝制程提供介質層等關鍵工藝解決方案。相關技術和設備指標達到國內一流、國際先進水平。
1、兼容8至12英寸單片熱ALD量產工藝;
2、采用原創設計的反應腔、源輸送系統以及精確控溫方案，可滿足優異的薄膜均勻性和重復性需求，更適合三維和高深寬比器件結構內的薄膜生長;
3、薄膜材料：Al2O3、HfO2、ZrO2、SiO2、La2O3、Ta2O5、TiO2、ZnO、CeO2等;
4、配置多至4種獨立的高溫前驅體輸送系統，滿足多元摻雜工藝需求;
5、設備通過28 nm量產工藝需求驗證，并具有向更先進技術節點工藝的拓展能力。
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