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iTomic MeT系列原子層沉積金屬化鍍膜系統

    iTomic MeT系列原子層沉積金屬化鍍膜系統適用于柵極金屬(Gate Metal)、功函數調節金屬層(Work Function)、MIM金屬電極、擴散阻擋層等關鍵工藝。MeT ALD系列設備在保證工藝中原子級別的膜厚精確控制和高薄膜均勻性的同時,配備自主設計的Degas反應腔,能有效對晶圓進行預處理,去除晶圓表面水汽和雜質,增強薄膜附著性、降低金屬化膜層電阻率,從而改善電性能。可為先進邏輯芯片、存儲芯片制程及先進芯片封裝的金屬化等關鍵工藝提供解決方案。



    1、采用CTPTM (Close-to-Point)輸送技術,提高薄膜均勻性和重復性以及臺階覆蓋率,更好地滿足高深寬比結構的沉積需求;

    2、配備in-situ腔體清洗系統,減少污染和缺陷,提高設備使用效率和壽命;

    3、薄膜材料:TiN、TaN、AlN、Ru、Pt、W、AlTi等;

    4、選配Degas反應腔,有效預處理晶圓,去除表面水汽和雜質,減少沉積缺陷,提高薄膜質量,改善電性能;

    5、滿足14 nm的量產工藝需求,可延展應用至更先進IC技術節點。
     








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